0371-5536 5392 0371-5519 9322
本設備為單靶磁控鍍膜儀，可用于金屬薄膜的制備，在電子領域、光學領域、特殊陶瓷制備等領域均有應用，也可實驗室SEM樣品制備。
本套配置采用高真空不銹鋼腔體，腔體設置帶擋板的石英觀察窗，便于實驗的觀察記錄；腔體設計真空性能**，造型小巧，十分適合實驗室使用。
設備采用下置靶設計，和上置靶相比這種設計能夠更好的規避屏蔽罩因長時間鍍膜而產生的薄膜碎片脫落的問題，可以更有效的保護樣品。
同時設備配有旋轉加熱樣品臺，可以有效提高薄膜的均勻性和成膜的質量。整機采用模塊化設計，操作邏輯簡單，操作界面直觀，利于上手。
單靶磁控鍍膜儀技術參數：
產品名稱
桌面型下置靶不銹鋼腔體單靶磁控濺射鍍膜儀
產品型號
CY-MSP190S-1T-UD （under下方）
安裝條件
1、使用環境溫度 25℃±15℃，濕度 55%Rh±10%Rh；
2、設備供電：AC220V，50Hz，必須有良好接地；
3、額定功率：1000w；
4、設備用氣：設備腔室內需充注氬氣清洗，需客戶自備氬氣，純度 ≥99.99%；
5、擺放工作臺尺寸要求 600mm×600mm×700mm，承重 50kg 以上；
6、擺放位置要求通風散熱良好。
技術參數
1、 濺射電源：直流電源300W；*大輸出電壓600V，極限輸出電流500mA
2、 磁控靶：下置2英寸平衡靶，配磁耦合擋板；
3、 磁控靶適用靶材： φ50mm x 3mm厚
4、 腔體尺寸：外徑φ194mm ，內徑186mm x 高230mm；
5、 腔體材質： 304不銹鋼
6、 旋轉加熱樣品臺：轉速1~20rpm 連續可調；加熱溫度*高500℃，升溫速度推薦10℃/min，*高20℃/min。
7、 冷卻方式：磁控靶及分子泵需要循環水冷機；
8、 水冷機：水箱容積9L，流速10L/min
9、 供氣系統：質量流量計， 氣體類型Ar氣，流量1~30sccm（可定制）；
10、 流量計精度：±1.5%量程
11、 真空腔體抽氣接口為 KF40；
12、 進氣接口為 1/4 英寸雙卡套接頭；
13、 顯示屏為7英寸彩色觸摸屏；
14、 可調節濺射電流，可設置濺射**電流值、**真空值；
15、 **保護：過流、真空過低自動切斷濺射電流；
16、 極限真空：5E-4Pa(搭配分子泵)；
17、 真空測量為電阻規真空計，其量程為：1～105Pa
注意事項
1、磁控濺射工作真空較高，一般在2Pa之內，需要配分子泵使用。
2、為了達到較高的無氧環境，至少要用高純惰性氣體對真空腔體清洗 3 次。
3、磁控濺射對進氣量比較敏感，需要使用質量流量計控制進氣量
可選配件
膜厚監測儀
1、膜厚分辨率：0.0136?（鋁）
2、膜厚準確度：±0.5%，取決于過程條件，特別是傳感器的位置，
材料應力，溫度和密度
3、測量速度：100ms-1s/次，可設置測量范圍：500000?（鋁）
4、標準傳感器晶體：6MHz
5、適用晶片頻率：6MHz 適用晶片尺寸：Φ14mm 安裝法蘭：CF35
其他配件
1、CY-CZK103系列高性能分子泵組（含復合真空計，測量范圍10-5Pa~105Pa）；
CY-GZK60系列小型分子泵組（含復合真空計，測量范圍10-5Pa~102Pa）
VRD-4雙極旋片真空泵；
2、KF40真空波紋管；長度可選0.5m、1m、1.5m；KF40卡箍支架
3、膜厚儀晶振片；
